叶回舟穿过来的时候，已经有辅助自动驾驶了，再加上智能座舱等功能的日新月异的发展了。
无论是燃油车还是电车，尤其是在电动汽车上，装载的ECU数量急速增加。
从防抱死制动系统、4轮驱动系统、电控自动变速器、主动悬架系统、安全气囊系统。
逐渐延伸到了车身各类安全、网络、娱乐、传感控制系统等。
90年代初，平均一辆汽车上ECU个数不足10个。
而40年后，一辆车上的ECU数量可超过100个，部分高端汽车的ECU数量甚至超过300个。
他看过资料，电动汽车一共有40多款各种芯片，从弱混到全电的新能源解决方案。
除电池电芯以外，电动汽车以芯片建立核心能力。
包括48V系统、电桥、电机、电控、电池管理系统、燃料电池、热管理系统等。
而汽车芯片在现在80年代初，尤其是在大陆，这是一个很多汽车工业者想象不到的事情，都没那个概念。
但现在只做电动车，一定要用到基本车载芯片。
因为条件所限，他需要做一组单片机来控制电控自动变速器、主动悬架系统和安全气囊这些最基本的系统。
这样电动汽车一旦做出来，直接甩八嘎最先进的燃油小汽车，几条街那么远。
王北周翻阅着电动汽车的芯片资料，一个资料引起了他的注意。
他把资料抽出来，仔细阅读了一下，把它放在桌上就开心地讲道：
“我们把这个IGBT先搞出来，我们所在实验室里就缺这种绝缘栅双极型晶体管，从国外进口的太贵了”。
黄老师一听点点头。
“IGBT啊！
你们两个单位都很需要？”叶回舟好奇地问。
实际上在前世，由于电动汽车的兴起，开发IGBT就显得尤为关键。
因为电动汽车的电池是直流电，而电动机是交流电，它们之间的转换的最核心器件就是IGBT。
王北周兴奋地讲道：“肯定的，我们厂跟6612半导体厂共同仿制过，差不多的双极型晶体管。
但没有图纸的情况下，立项研究，却始终没有办法量产。
所以，我们单位一直进口三菱和的富士的，但小八嘎要价太贵！”
叶回舟不知道的事。
IGBT是八十年代初出现的一种新型半导体功率器件。
虽然IGBT的原理看起来挺简单的，但是开发出一款IGBT是极其复杂的。
其电压控制输入特性伴随低阻通态输出特性，可以在众多领域替代GRT和功率MOSFET等器件。
另外IGBT还具有MOSFET的高输入阻抗，电压驱动，无二次击穿，安全工作区宽等优点，成为功率器件中强有力的竞争者。
随着电力电子技术，进一步向高频的大功率用电领域发展。
电子器件也一直是沿着提高频率和提高功率这两方面努力向前发展的。
他曾经DIY经常用的，用作电力开关的半导体器件有晶闸管，场控晶闸管（FCT），门极可关断晶闸管（GT0），……和功率MOSFET等。
至于IGBT绝缘栅双极型晶体管，在他那个年代，有好多代替品。
不过现在的IGBT，是1979年发明的，一发明出来，就得到了广泛的应用。
此时外国的半导体企业，使用MOSFET制造技术的DMOS（双扩散形成的金属-氧化物-半导体）工艺，被采用到IGBT中来。
现在的IGBT硅芯片采用的结构是一种较厚的NPT（非穿通）型设计。
前世经过几十年的发展，IGBT通过采用PT（穿通）型结构的方法得到了在参数折中方面的一个显着改进。
他穿过来的时候，有种在采用PT设计的外延片上制备的DMOS平面栅结构，其设计规则从5微米先进到3微米。
刚好符合他的，光刻机刻度。
IGBT再发明出来后，就运用到军用如导弹、航天、卫星等。
军工用的IGBT，一方面保留了功率高速化的特点。
另一方面又引入了一个双极型晶体管注入载流子来调制电导，解决了管的高耐压与低导通电阻之间的矛盾。
是一种高频率、高功率器件，绝对要比以前的调制电导装备好用得多。
而且IGBT民用也同样出彩。
像什么，汽车、电机驱动、焊机、电源和通讯电源、家用电器、新能源等领域的应用已经较为广泛。
这时，IGBT刚出来没两年，国内的研究院买过来的成品要逆向研究，研究了一年了，还没有走出实验室。
要是叶回舟的半导体车间能够生产IGBT，在利用不同的封装技术。
可以使融合有IGBT的功率半导体器件被用于蜂窝基站，用于控制输送到微处理器的巨大电流。
那么，小灵通基站，就可以升级换代了。
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