穿越就被抓,我拯救华夏芯片

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第111章 常江存储

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“预计到2020年,国际上微电子技术水平将发展到14纳米,我们应该清醒地认识到,核心技术是买不到的,必须靠我们自己,只是一代又一代的引进新的技术是赶不上世界先进水平的。我们研究人员要争口气,否则发达国家在核心技术方面总是要卡我们的脖子。”

这是《论华国信息技术产业发展》一书中的原话,而这书发表于2009年。

路阳在穿越前,曾经看到过一条让他震惊的消息,计划用这个主题来做一期视频,遗憾的是文案才写到一半,他便穿越了。

而这条消息跟常江存储有关,那就是常江存储已完成232层NAND闪存量产,领先于三兴、美光、海力士等国外巨头,作为全球第一家实现200层以上NAND闪存量产的企业,2022年,其市场份额还不到5%。

闪存,即Flash Memory,是一种非易失性记忆体。保存在闪存内部的数据,在断电的情况下,只要保存得当,可以保存10年以上。

我们常用的U盘、各种类型的固态硬盘,手机闪存,相机内存、SD卡,TF卡等等,使用的都是闪存芯片,华国对闪存芯片的使用量早已到达恐怖的量级。

这次的招商会议,常江存储是路阳亲自安排人邀请的,目的有两个,一是完成自己的小愿望,第二个则是测试想系统在半导体芯片的下游应用端,是否管用,目前脑海中的科技树点亮的几乎都是上游的技术。

闪存芯片跟手机芯片不同,并不是制程越高越好,最重要的是保证数据的稳定性,在工艺达到15,16纳米后NAND闪存的可靠性就会断崖式的下跌,所以闪存芯片的发展,靠卷制程的方式提高性能是走不通的。

想要提高固态硬盘的性能,就必须换一种方法,传统的办法是把芯片做小在平面上展开,显然这个办法存在上限,于是就有了3D-NAND堆叠技术,像叠叠乐一样把闪存芯片堆积起来。

这方面各大厂商都有其独家技术,三兴叫做V-NAND,东芝跟闪迪则是用BiCS,路阳记得最清楚的就是常江存储的独家堆叠技术Xtacking,他并不清楚现在的常江存储做到了多少层。

闪存具有存储与读写两个基础功能,其它厂商通常都会把读写单元和存储单元设计在一颗晶圆上,而常江存储走的路与他们都不同。

常江存储非常聪明的在两颗晶圆上制造两种不同的电路,然后再把他们拼接起来,顺便把其中数十亿个金属通道给连好,这样做的优点是显而易见的。

为了保证数据的稳定性,存储单元的制程不能超过16纳米,但是保证数据读写速度的读写单元却要求制程越高越好,这样就造成了设计上的矛盾,Xtacking技术有效的解决了这个矛盾。

在Xtacking技术的帮助下,读写单元和存储单元可以分开来生产,这意味着这两款芯片可以分开来设计与生产,存储单元使用低制程,读写单元使用高制程,最后再将两者连接起来。

常江存储的这套研发方案,不但缩小了单个芯片的面积,让生产的成本降低,同时还改变了整个闪存的生产流程,研发成本与周期都大幅度降低。

招商会第三天,路阳单独约见了常江存储的陈长义,跟他一道前来的还有公司的技术总监周明山,两人怀着好奇的心情走进路阳的办公室。

“陈总您好,久仰大名,这位是?”路阳起身迎接。

陈长义45岁,有过十几年国外半导体企业的工作经历,回国后曾在京大微电子研究所担任副教授,前年开始出来创业,见路阳如此客气,赶紧介绍道。

“这位是周明山,我们公司的技术总监!”

三人介绍结束后,路阳让人送来茶水糕点,“冒昧请二位前来,一是想多了解下常江存储,二是想向陈总多多学习,今天没有其它的安排,我们正好可以聊聊。”

接到邀请后的两人立刻取消了机票,路阳的邀请可不多见,能与华芯的董事长交好,一定能给常江存储带来更多的发展契机。

陈长义说道,“路总太客气了,现在业内多少人想拜访路总都找不到门路,能有这个机会,是我们的荣幸。”

周明山比陈长义年轻几岁,“不知路总是想了解哪方面的信息?”

搞研发的一向直截了当,路阳很喜欢这种交流方式,“不知贵公司现在的闪存技术做到了多少层?”

陈长义笑道,“看来路总也关心存储芯片啊,常江存储今年才推出了Xtacking技术,目前还在攻克32层,如果有了华芯的光刻机,32层突破是板上钉钉的事。”

“你们的芯片现在是什么制程?”

周明山介绍道,“目前使用的还是45纳米级别的制程,但是量小,没有企业愿意生产,我们只能用岛国的光刻机来做。”

路阳在心暗自思索,“原来2018年才推出的技术啊!以岛国光刻机的性能,45纳米对他们来说良品率都不会太高,难怪才32层。”

常江存储刚成立的几年是非常困难的,每次突破都落后国外一步,市场占有率一直都徘徊在1%左右,路阳肯定不会让这样的情况再次发生。

“问题主要是卡在芯片制程上对吧?”

陈长义一笑,“路总一言道破啊,无论是我们还是常鑫都一样,其实PC零配件这块国内的厂商没有竞争力的原因都是因为光刻机问题,现在好了,这不是恭维,华芯让我们看到了希望,整个行业都会感激华芯的。”

“其他方面先不说,在闪存这个领域,最佳的制程便是14-16纳米级别,路总了解Xtacking技术吗?”周明山问道。

路阳点点头,“就是把两片芯片连接起来,然后再做堆叠,存储单元需要稳定的14纳米为佳,而读写的制程越高越好。”

“通透,哈哈!路总这解释没错,如果真如您所说的我们能用14纳米技术做存储芯片,7纳米做读写芯片,就算是32层的堆叠技术,也能吊打现在市面上的一切产品。”

心中却在苦笑,虽然路阳解释得很有道理,但这只是技术层面,实际情况就是没有晶圆厂愿意用这个制程来生产这两种芯片,无他,没利润,甚至还可能亏本。

“那为什么不做呢?现在完全有这个技术了,哦,对,你们没有光刻机。”

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