极紫外光刻技术的另一大瓶颈无疑就是光刻胶了。
目前的行业现状是，半导体材料的供应都是十分集中的，而光刻胶技术算是全球集中度最高，并且壁垒也是最高的材料，被日本和北美合计占领了95%的市场份额。
三星电子半导体固然牛气哄哄，也却是很有实力，但实际上得看日本人的脸色，如果日本的半导体材料商在材料这块卡一下，三星半导体就要趴窝。
休息室里正在进行临时的技术交流探讨，一位负责光刻胶技术的工程师有条不紊的说道：“在248纳米和193纳米的光刻中，主流有超过二十年之久都是使用有机化学放大光刻胶CAR，这是一种用来制作图案成型的光敏聚合物。”
在极紫外光刻机下，光子专机CAR光刻胶并产生光酸，之后CAR光刻胶在曝光后的过程中进行光酸催化反应，进而产生光刻图案。
原理就是这么个原理。
那名工程师继续道：“把CAR光刻胶用于极紫外光刻技术上，但因为光源能量大幅度增加了，之前的实操结果显示会出现不同且复杂的结果，进而影响芯片的良品率。”
罗晟点点头，说道：“到了EUV技术节点，这个不单单是我们的问题，竞争者也一样会遇到类似问题，还是得开拓新思路，想来当前业界其它的半导体设备、材料商都会想尽各种方式，或者提出新的光刻胶技术解决方案，让极紫外光刻技术可以持续使用，从而延续摩尔定律的寿命。”
刚刚那名工程师再次说道：“新思路方面，我们项目组有多个团队针对新的EUV光刻胶在进行多种方向的尝试，例如仍然是液态式的金属氧化物光刻胶，还有干式的光刻胶等方向的研发。”
罗晟想了想沉声道：“不能我们自己闷声干，新的EUV光刻胶技术最好是百家争鸣，利用养蛊策略养出一个光刻胶领域的ASML来。”
听到这话的李淳胜旋即搭了一句：“那得付出好几倍的成本。”
罗晟摊手道：“在半导体这一块已经投入了这么多，除了硬着头皮往死里氪，没有退路可言。”
说到这里旋即看向李淳胜问道：“对了，半导体光刻胶这一块国内现在有哪些供应商？”
李淳胜：“有好几家，只不过他们现有的技术和市场份额跟国际顶尖水平相比差的不是一丁半点，相对来说比较知名的几家光刻胶厂商分别科华、晶锐、南达光电、容达感光、申城新阳这几家。光刻胶研究这一块，蔚蓝海岸实验室都跟着几家厂商有技术上的交流。”
罗晟点点头没有多说什么，旋即看向刚刚那位光刻胶项目负责人问道：“新思路方面的具体进展有哪些？”
“项目组正在开展负性光刻胶课题论证研究，其分子大小是CAR有机光刻胶的五分之一，重点是光吸收率可以达到CAR的四到五倍，超算验证结果显示能更精密、更准确的让电路图成型。”
罗晟从内部数据库查看了一下，自顾自地点头道：“干式光刻胶技术可以重点投入，这种全新的EUV干式光刻胶技术，取代传统的CAR光刻胶对于半导体工艺的演进大有可为，可能会是一个巨大的突破点。”
这个新技术的优势在于提升极紫外光刻技术的敏锐度和分辨率，更可以减少原本五到十倍的光刻胶使用量，在成本节约上带来显着成果。
新的技术节点下诞生的芯片，成本是很高昂的，尤其是前期阶段。
在当下业内以有机化学放大光刻胶CAR和无机光刻胶n-CAR为主导下，都是采用液态光刻胶技术，研究新型EUV光刻胶技术不只是蔚蓝海岸实验室，海外的厂商都在积极推进新技术的开发，毕竟极紫外光刻技术是大趋势，这是不会改变的事实了。
但只有蔚蓝海岸实验室的新型EUV光刻胶技术是基于干式沉淀的技术，这一点算是独创技术。
目前主流的光刻胶技术是CAR，也即是把液态光刻胶搭配涂布机设备旋涂到晶圆上，在使用溶剂曝光后再去除掉。
而蔚蓝海岸实验室的这种新式技术有别于传统液态光刻胶涂布方式，改在腔体中进行化学反应，让干式光刻胶在化学气相沉积或原子层沉积里制造，之后再以刻蚀工艺去除掉。
这样的优点在于可以提升成像的敏感度、分辨率和极紫外光刻曝光的分辨率。
更重要的是可以改善工艺晶圆的成本，这些优势都是更先进的工艺的体现。
罗晟关闭数据面板，把工作电脑放一边，说道：“只要干式光刻胶技术搞定了，我们就可以与日本设备材料产生形成两个阵营了，可以冲破既有的半导体技术规则，这非常关键，整个产业也会带来深远的改变。没什么好说的了，我们已经投入了这么多，除了胜利，没有第二条路可以选择。”
在场的每一个人都默默的点头，也是战意勃发，眼下的突破给了团队巨大的信心。
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