李飞乐呵一笑，在本人面前谈论芯片制造工艺，你还嫩了一点，重生前，本人在英特尔是副总裁，负责英特尔的芯片设计和芯片制造，
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同时，李飞从内心上，认为不必和这人一般见识，不必再继续说下去…，
但为了FM芯片早点量产，早点让FM芯片进入市场变现，李飞不得不展示芯片研发实力，给一点颜色看看，让对方知道什么是研发技术大神。但没有必要再客气了，就命令道：“你不要打断我说话！如我说得没有错的话，CMOS工艺流程大概是这样的：
先是准备n型硅片，用以制造NMOS和PMOS晶体管。（注：CMOS工艺是在PMOS和NMOS工艺基础上发展起来的）
再使用湿氧化方法，在硅片上生长设定厚度（如约0.6微米）的二氧化硅层，作为制造p型区的掩蔽层。随后光刻p型区。
接着，光刻出NMOS晶体管的p阱区和PMOS晶体管的源、漏区后，使用氮化硼片作掺杂源进行硼预淀积。
在淀积硼以后，进行杂质推进扩散，形成NMOS晶体管的p阱，在推进扩散的同时，也进行干氧化，接着进行湿氧化预定时间（如20分钟），该二氧化硅层作为光刻n型区的掩蔽层。
如光刻出n型掺杂区，然后进行磷掺杂扩散，形成NMOS晶体管的源、漏区；
在磷扩散以后，进行湿氧化预定时间（如20分钟），该二氧化硅层用以制造NMOS和PMOS栅氧化区的的掩蔽层；
光刻出NMOS和PMOS晶体管的栅区，然后使用干氧化方法，生成设定厚度的栅二氧化硅层（如500纳米制程），”
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